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NAND Flash的應(yīng)用及發(fā)展趨勢

2022-05-23 09:45:02 admin 313

NAND Flash的應(yīng)用及發(fā)展趨勢

NAND Flash作為一種比較實用的固態(tài)硬盤存儲介質(zhì),有自己的一些物理特性。NAND Flash的壽命不等于SSD的壽命,SSD盤可以通過多種技術(shù)手段從整體上提升SSD的壽命,通過不同的技術(shù)手段,SSD盤的壽命可以比NAND Flash壽命提升20%~2000%不等。

反過來講SSD的壽命不等于NAND Flash的壽命,NAND Flash的壽命主要通過P/E cycle來表征,SSD由多個Flash顆粒組成,通過盤片算法,可有效發(fā)揮顆粒壽命。

NAND Flash

基于NAND Flash的原理和制造工藝,所有主要的閃存制造商都積極致力于開發(fā)不同的方法,以降低每比特閃存的成本,同時正在積極研究增加3D NAND Flash中垂直層的數(shù)量。

隨著3D NAND技術(shù)的快速發(fā)展,QLC技術(shù)不斷成熟,QLC產(chǎn)品也已開始陸續(xù)出現(xiàn),可以預(yù)見QLC將會取代TLC,猶如TLC取代MLC一樣。而且,隨著3D NAND單die容量不斷翻倍增長,這也將推動消費類SSD向4TB邁進,企業(yè)級SSD向8TB升級,QLC SSD將完成TLC SSD未完成的任務(wù),逐漸取代HDD,這些都逐步的影響著NAND Flash市場。

研究統(tǒng)計范圍包括8 Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLC NAND閃存,產(chǎn)品應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、通信和其他相關(guān)行業(yè)。

國際原廠引領(lǐng)3D NAND 技術(shù)發(fā)展,在 NAND Flash 市場中,三星、鎧俠(東芝)存儲、美光、SK 海力士、閃迪、英特爾這六家原廠長期壟斷著全球 99%以上的份額。

此外,國際原廠持續(xù)引領(lǐng)著3D NAND技術(shù)研發(fā),形成了較為厚實的技術(shù)壁壘。但各原廠在設(shè)計方案上 的差別將會對其產(chǎn)出產(chǎn)生形成一定影響。三星、SK海力士、鎧俠、閃迪已經(jīng)相繼發(fā)布最新100+層3D NAND產(chǎn)品。

當(dāng)前階段,NAND Flash 市場的發(fā)展主要受到智能手機和平板電腦需求的驅(qū)動。相對于機械硬盤等傳統(tǒng)存儲介質(zhì),采用NAND Flash 芯片的SD 卡、固態(tài)硬盤等存儲裝置沒有機械結(jié)構(gòu),無噪音、壽命長、功耗低、可靠性高、體積小、讀寫速度快、工作溫度范圍廣,是未來大容量存儲的發(fā)展方向。隨著大數(shù)據(jù)時代的到來,NAND Flash 芯片將在未來得到巨大發(fā)展。

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